エクセリクス・セミコンダクター社
Excelics Semiconductor, Inc

エクセリクス社は、最先端の物質を用い、優れたプロセス技術ならびに設計技術で世界をリードする高性能マイクロ波半導体デバイス、集積回路(IC)のサプライヤーになるべく1995年に設立されました。アプリケーションとして、特に商用マイクロ波センサ、短距離ポイント・ツー・ポイント無線機、セルラー/PCN携帯端末や基地局、ポイント・ツー・マルチポイント無線MMDS/LAN/LMDS(広帯域無線アクセス)、VSATおよびSATCOM用にご使用いただけます。

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エクセリクス製品

エクセリクス製品には5つの製品グループがあります。

1. 1.超低ノイズ／高利得へテロ接合FET(PHEMT)
2. 2.高効率へテロ接合FET(PHEMT)
3. 3.低ひずみGaAsパワーFET(GaAsMESFETおよびMESFET)
4. 4.インターナルマッチドパワーFET(MFET)
5. 5.MMIC
6. 6.トランジスタ

高性能マイクロ波電界効果トランジスタ(FET)や内部整合電力FET、モノリシックマイクロ波IC(MMIC)といった100を越える弊社製品群からお選びいただけます。また他社製品との比較も一覧表にいたしました。

超低ノイズ／高利得へテロ接合FET(PHEMT)

◎電気的特性

電気的特性

		周波数帯域
雑音指数（Noise Figure）	0.5〜1dB	12GHz
利得（Gain）	10〜13dB	12GHz
P-1dB	15dB	12GHz

◎形状：

チップ

(1) 70milセラミックパッケージ：(ハーメチックもしくは ハーメ チック以外)

高効率へテロ接合FET(PHEMT)

◎出力：

0.1W〜10W (周波数帯域 0.1〜60GHz)

◎形状：

1. (1)70mil　セラミックパッケージ
2. (2)100mil, 170mil, 180milフランジ付きセラミックパッケージ
   (ハーメチックもしくは ハーメチック以外)
3. (3)85 mil, SOT23 およびSOT89表面実装プラスチックパッケージ

低ひずみGaAsパワーFET(GaAsMESFETおよびMESFET)

◎出力：

0.06W〜5W(周波数帯域 0.1〜60GHz)

◎形状：

1. (1)チップ（via-hole or non-via-hole）
2. (2)70mil,100mil,170mil,180milフランジ付きセラミックパッケージ
   (ハーメチックもしくは ハーメチック以外)
3. (3)85mil,SOT89表面実装プラスチックパッケージ

インターナルマッチドパワーFET(MFET)

◎周波数帯域：

10.7GHz-11.7GHz，12.75-13.25，13.75-14.5，13.0-14.5，14.0-14.5，14.4-15.35，14.0-15.35，14.9-15.1，16.2-16.4，17.7-18.7，17.3-18.1，18.15-18.75 and 18.7-19.7GHz

◎電気的特性：

電気的特性

P-1dB	30〜39dBm
Output 3rd Order Intercept Point (OIP3)	37〜49dBm
Gain at 1dB Compression (G-1dB)	5.9〜9.5dB
Power Added Efficiency at 1dB compression(PAE)	20〜30%

◎形状：

ノン・ハーメチック・フランジパッケージ

MMIC

◎電気的特性：

電気的特性

周波数帯域	9〜16GHz 低ローノイズ＆パワーアンプ
P-1dB	18〜22dBm
Gain(利得)	15〜25dB
VSWR	Input：1.5-3.0:1.0，Output：2.0-3.0:1.0
Sub-harmonically pumped mixer with LO amplifier：20-32GHz
RF：20-32GHz，LO：10-15GHz，IF：DC-5GHz，
11dB conversion loss，8dBm LO drive.

◎形状：

チップ

トランジスタ

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1. 広帯域、超ローノイズ、低ひずみ、ハイパワー
2. Excelics社（米国・カリフォルニア州）高性能マイクロ波デバイスを低価格で供給。
3. Excelicsの半導体は、全世界の無線基地局で使われています。

1.NF=0.5dB,Ga=13dBのローノイズ・デバイス（High Effiency Hetero-Junction FET)

1.NF=0.5dB,Ga=13dBのローノイズ・デバイス（High Effiency Hetero-Junction FET)

型名	形状	Noise Figure	P-1dB	Associated Gain
EPB018A5	チップ	0.5dB (＠12GHz)	15dB (＠12GHz)	13dB (＠12GHz)
EPB018A5-70	セラミックパッケージ	0.5dB (＠12GHz)	15dB (＠12GHz)	13dB (＠12GHz)

2.IP3=+48dBm,P1dB=+34dBm(2.5W)のハイパワー低歪デバイス（Ga FET）

2.IP3=+48dBm,P1dB=+34dBm(2.5W)のハイパワー低歪デバイス（Ga FET）

型名	形状	Noise Figure	P-1dB	IP3
EFA240D-SOT89	表面実装プラスチック	0.7dB (＠2GHz)	31dBm (＠2GHz)	48dBm (＠2GHz)
EPB018A5-70	表面実装プラスチック	0.8dB (＠2GHz)	31dBm (＠2GHz)	48dBm (＠2GHz)

3.NF=0.4dB，P1dB=+33dBmのローノイズ・パワーデバイス（High efficiency Hetero-Junction FET)

3.NF=0.4dB，P1dB=+33dBmのローノイズ・パワーデバイス（High efficiency Hetero-Junction FET)

型名	形状	Noise Figure	P-1dB	IP3
EPA240D-SOT89	表面実装プラスチック	0.4dB (＠2GHz)	33dBm (＠2GHz)	40dBm (＠2GHz)
EPA480C-SOT89	表面実装プラスチック	0.5dB (＠2GHz)	36dBm (＠2GHz)	43dBm (＠2GHz)

4.P1dB=+39.5dBm(8.9W)のハイパワーデバイス（High efficiency Hetero-Junction FET)

4.P1dB=+39.5dBm(8.9W)のハイパワーデバイス（High efficiency Hetero-Junction FET)

型名	形状	P-1dB	効率	P-1dBでのGain
EPA1200A	チップ	39.5dBm (＠4GHz)	43％ (＠P-1dB)	18.0dB (＠2GHz)
EPA960B	チップ	38.5dBm (＠4GHz)	43％ (＠P-1dB)	18.5dB (＠2GHz)
EPA720A	チップ	37.5dBm (＠4GHz)	52％ (＠P-1dB)	19.0dB (＠2GHz)

5．その他（High efficiency Hetero-Junction FET)

5．その他（High efficiency Hetero-Junction FET)

型名	形状	Noise Figure	P-1dB	Gain @P-1dB
EPA018A‐ 70	セラミックパッケージ	0.75（＠12GHz）	20.0dBm（＠18GHz）	13.5dB（＠12GHz）
EPA018A‐ SOT23	パッケージ	0.70（＠2GHz）	20.0dBm（＠2GHz）	17.0dB（＠2GHz）
EPA025A‐ 70	セラミックパッケージ	0.85（＠12GHz）	21.5dBm（＠18GHz）	11.0dB（＠12GHz）
EPA040A‐ 70	セラミックパッケージ		23.5dBm（＠18GHz）	10.5dB（＠12GHz）
EPA060B‐ 70	セラミックパッケージ	0.40（＠2GHz）	25.5dBm（＠12GHz）	9.0dB（＠12GHz）
EPA080A‐ 100F	フランジ付きセラミックパッケージ		27.5dBm（＠12GHz）	8.5dB（＠12GHz）
EPA120B‐ 100F	フランジ付きセラミックパッケージ		29.5dBm（＠12GHz）	7.0dB（＠12GHz）

6.MMIC Amplifier

6.MMIC Amplifier

型名	周波数	小信号Gain	P-1dB	特徴
EMA205B	9〜16GHz	14dB	18dBm	NF=4.0
EMA302B	22〜26GHz	15dB	28dBm	NF=24％
EMA303D	16〜26GHz	25dB	22dBm	NF=4.0
EMA406C	26〜32GHz	21dB	20dBm	NF=6.0
EMA501D	36〜40GHz	23dB	21dBm	NF=6.0

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