トランジスタ(transistor)は増幅、およびスイッチングができる半導体素子でバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタがあります。
トランジスタは、ゲルマニウムまたはシリコンの結晶を利用して作られることが一般的です。そのほか、ガリウム - ヒ素などの化合物を材料としたものは化合物半導体トランジスタと呼ばれ、特に超高周波用デバイスとして広く利用されています。
GaAsなどの化合物半導体はシリコンと比べ高速動作が可能で電力変換効率が高いです。
また化合物半導体にはGaAsMESFETとHEMT（High Electron Mobility Transistor）があります。主な特長としてGaAsMESFETはスイッチングが速く、低雑音で高周波動作に適しています。またHEMTはGaAsMESFET以上の高周波特性があり、高速でなおかつ高周波動作に適しています。
GaAsMMICは無線基地局で使われています。
現在エクセリクス・セミコンダクター社には広帯域、超ローノイズ、低ひずみ、高効率のデバイスがそろっています。
超ローノイズ・デバイス(Low Noise High Gain Hetero-Junction FET's(PHEMT))
| 型名 | 雑音指数 | P-1dB | Gain |
|---|---|---|---|
| EPB018A5 | 0.5dB(12GHz) | 15dB(12GHz) | 13dB(12GHz) |
| EPB018A5-70 | 0.5dB(12GHz) | 15dB(12GHz) | 13dB(12GHz) |
低ひずみ(Low Destrotion GaAs MESFET's)
| 型名 | P-1dB | G-1dB | 周波数 |
|---|---|---|---|
| EFA060B-70 | 24dBm | 7.5dB | 12GHz |
| EFA960CR-180F | 36.5dBm | 16dB | 2GHz |
超ローノイズ・ハイパワー・デバイス(High Efficiency Hetero-Junction FET's(PHEMT))
| 型名 | P-1dB | G-1dB | 周波数 |
|---|---|---|---|
| EPA018A-70 | 20dBm | 11.0dB | 18GHz |
| EPA060B-70 | 25.5dBm | 9.0dB | 12GHz |
高効率ハイパワーデバイス(High Efficiency Hetero-Junction FET's(PHEMT))
| 型名 | P-1dB | G-1dB | 周波数 | Bias |
|---|---|---|---|---|
| EPA480BV | 35.5dBm | 12.0dB | 12GHz | 8V |
| EPA680AV | 37.0dBm | 10.0dB | 12GHz | 8V |
インターナリー・マッチド・パワー FET's(Internally Matched Power FET's)
| 型名 | 動作周波数 | P-1dB | G-1dB | PAE |
|---|---|---|---|---|
| EIC4450-4 | 4.4-5.0GHz | 36.5dBm | 11.5dB | 35% |
| EIC5964-5 | 5.9-6.4GHz | 37.5dBm | 10.0dB | 37% |
| EIC1213-4 | 12.75-13.25GHz | 36.5dBm | 6.5dB | 29% |
| EIC1414-4 | 14.0-14.5GHz | 36.5dBm | 6.0dB | 28% |
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